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电子封装基板主要可分为高分子基板、金属基板和陶瓷基板几类。金属基板和高分子基板受限于功率器件对导热、耐热、绝缘、强度与热匹配性能的要求，而陶瓷材料具有热导率高、耐热性好、高绝缘、高强度、与芯片材料热匹配等性能，非常适合作为功率器件封装基板，目前已在半导体照明、激光与光通信、航空航天、汽车电子、深海钻探等领域得到广泛应用。
陶瓷基板材料
1.氧化铝陶瓷基板
氧化铝陶瓷呈白色，氧化铝陶瓷基片成型方法主要有轧膜法、流延法和凝胶注膜法等。氧化铝陶瓷具有原料来源丰富、价格低廉、绝缘性高、耐热冲击、抗化学腐蚀及机械强度高等优点，是一种综合性能较好的陶瓷基片材料，占陶瓷基片材料总量的 80%以上。但由于其热导率相对较低，热膨胀系数较高，一般应用在汽车电子、半导体照明、电气设备等领域。
2.氮化铝陶瓷基板
氮化铝材料呈灰白色，其热导率为氧化铝陶瓷的6~8倍，但热膨胀系数只有其50%，此外还具有绝缘强度高、介电常数低、耐腐蚀性好等优势。除了成本较高外，氮化铝陶瓷综合性能均优于氧化铝陶瓷，是一种非常理想的电子封装基片材料，尤其适用于导热性能要求较高的领域。
3.氮化硅陶瓷基板
氮化硅陶瓷基片硬度大、强度高、热膨胀系数小、耐腐蚀性高。氮化硅陶瓷抗弯强度高，耐磨性好，是综合机械性能最好的陶瓷材料，同时因其热膨胀系数最小，被认为是一种很有潜力的功率器件封装基片材料。但是其制备工艺复杂，成本较高，热导率偏低，主要适合应用于强度要求较高但散热要求不高的领域。
4.氧化铍陶瓷基板
氧化铍材料密度低，具有纤锌矿型和强共价键结构，其粉末与基片均为白色，因其较低的相对分子量，其热导率高，综合性能好。 但因氧化铍材料粉体具有毒性、生产成本高、热导率随着温度升高而降低，限制了氧化铍的推广应用。但在某些大功率、高频半导体器件以及航空电子设备和卫星通讯中，为了追求高导热和理想高频特性，仍在采用氧化铍陶瓷基片。
5.碳化硅、氮化硼陶瓷基片
碳化硅、氮化硼等也都可作为陶瓷基片材料。碳化硅多晶体热导率较低，材料介电常数为40，是AlN陶瓷的4倍，限制了其高频应用。氮化硼材料具有较好的综合性能，但作为基片材料，它没有突出优点，且价格昂贵，与半导体材料热膨胀系数也不匹配，目前仍处于研究中。
陶瓷基板的应用
1.电力电子器件封装
绝缘栅双极晶体管(IGBT)封装主要采用DBC陶瓷基板，DBC基板金属线路层较厚，载流能力大、耐高温性好、可靠性高等特点。
2.激光器(LD)封装
LD封装须采用导热性能好、热膨胀系数匹配的陶瓷基板。由于氮化铝陶瓷具有热导率高、热膨胀系数低等优点，因此LD封装普遍使用氮化铝陶瓷基板。
3.发光二极管(LED)封装
大功率LED封装基板先后经历了金属支架、金属基板和陶瓷基板。由于陶瓷基板具有高绝缘、高导热和耐热、低膨胀等特性，特别是采用垂直通孔技术的DPC陶瓷基板，可有效满足倒装共晶、COB(板上芯片封装)、CSP(芯片尺寸封装)等技术白光 LED 封装需求。对于紫外LED模组，采用三维陶瓷基板，可满足其高效散热与气密封装需求。
4.热电制冷器(TEC)封装
热电制冷片是一种常用的半导体制冷器件，由于热电制冷效率与半导体粒子数量呈正相关，单位面积粒子数量越多，热电制冷效率越高。DPC陶瓷基板精度高，可提高粒子布置密度，从而有效提高热电制冷效率。
5.高温电子器件(HTE)封装
航空航天、深海钻探、汽车等领域电子器件需要能够在极端环境(如高温、高湿、高压、高腐蚀、高辐射、高频振动等)下工作，因此封装材料必须具有高耐热性和抗湿性，同时器件芯片必须密封于腔体中，避免外界环境的侵蚀和破坏。三维陶瓷基板(如HTCC、LTCC、MPC和DMC等)具有高强度腔体结构，气密性良好，可满足恶劣环境下器件封装要求。
6.其他功率器件封装
陶瓷基板也同样应用在很多其他功率或高温器件封装中。如聚焦光伏器件封装，由于聚焦作用导致太阳光密度加，芯片温度升高，必须采用陶瓷基板强化散热。在微波射频领域，为了降低损耗，需采用高频特性良好的HTCC或 LTCC基板来提高速度。
（参考文献：电子封装陶瓷基板-程浩;陈明祥;罗小兵;彭洋;刘松坡）
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