Beo陶瓷是以氧化铍为主要成分的陶瓷。氧化铍陶瓷具有很高的导热性和很好的抗热震性。主要用作大规模集成电路基板，大功率气体激光管，晶体管的散热片外壳，微波输出窗和中子减速剂等材料。

BeO作为绝缘材料始于1928年，不过直到1930年为止，BeO主要是混以其他材料作为荧光物质使用，在第二次世界大战期间首次制造出高纯氧化铍瓷。1946年了解到氧化铍具有极高的导热系数。并且当时主要用在原子核装置中。直到50年代中期，氧化铍在电子学、测量仪器、通信和航天技术中出现应用。 氧化铍的熔化温度范围为2530℃~2570℃，其理论密度为3.02g/㎝3，在真空中可在1800℃下长期使用，在惰性气体中可在2000℃下使用，在氧化气氛中1800℃才挥发。氧化铍陶瓷的最突出性能是导热系数大，与金属铝相近，是氧化铝6~10倍，是一种具有独特的电的、热的和机械性能的介质材料，没有其他任何材料显示出这样全面的综合性能。 氧化铍陶瓷因其具有高导热系数、高熔度、强度、高绝缘、低电介常数、低介质损耗以及良好的封装工艺适应性等特点，在微波技术、电真空技术、核技术、微电子与光电子技术领域受到重视和应用，尤其是在大功率半导体器件、大功率集成电路、大功率微波真空器件及核反应堆中一直是制备高导热元部件的主流陶瓷材料，在军事领域及国民经济中起到十分重要的作用。